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著者 :前田 佳均
出版者:裳華房
出版年:2014年9月
分類:549.8
形態:図書
◎本のあらすじ
本書には、シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、新しいシリサイドの合成と物性、そして発光素子、太陽電池、光学応用、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究が含まれている。これらには、我が国の研究者が世界をリードして生まれた、ユニークで特筆すべきものが多く含まれている。
◎目次
第1章 シリサイド系半導体の基礎
第2章 結晶成長技術
第3章 薄膜形成技術
第4章 構造解析
第5章 鉄シリサイドの物性
第6章 新しいシリサイドの合成と物性
第7章 シリサイド系半導体の応用
◎著者紹介
前田 佳均
1959年生。1982年京都大学工学部卒。1984年京都大学大学院工学研究科修了。同年、株式会社日立製作所入社。1995年大阪府立大学総合科学部講師、1996年助教授、1999〜2000年米国サリー大学客員研究員。2003年京都大学大学院エネルギー科学研究科助教授、2007年准教授、2012年九州工業大学大学院情報工学研究院教授。専門分野:半導体物性工学、ナノ構造光物性。所属学会:応用物理学会、日本物理学会、日本金属学会、日本真空学会、応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会委員長(初代)。博士(工学)(東京大学)(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※予約できる点数は、1人10点までです。
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※町田市に在住もしくは、多摩美術大学・東京工科大学・桜美林大学に在学、在勤で利用者登録されている方は、ホームページからの予約サービスは受けることができません。

所蔵

所蔵件数は1件です。

現在の予約件数は0件です。

No.所在場所置き場所分類図書記号巻冊記号資料コード形態状態禁帯
1橋本図書館書庫549.8 32252298図書在架

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